三星半导体高层访问NVIDIA：展示改良样品

据韩国媒体报道，三星电子半导体部门负责人全永鉉（Young Hyun Jun）上周亲自前往美国英伟达总部，展示了三星最新改良的1b DRAM样品。英伟达曾在2024年要求三星改进1b DRAM的设计，以解决良品率和过热问题，此次全永鉉展示的样品正是基于英伟达的要求而进行的改良成果。